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完善EDI预处理系统可以减少RO组件的粒子污染

文章出处:EDI水处理作者:EDI水处理发表时间:2013-11-06 11:28:44

   我国目前电子产品系统更新速度非常快,可以说我国已经完全进入电子发展大国,生产电子产品需要一个完全无污染的环境,对电子产品部件清洗液也必须保证完全干净,所以电子行业对水的要求也相对较高。

  一、设计原始资料:

  制作16K位集成电路(DRAM)时,对水质的要求:TOC 0.5mg/L,金属离子为1mg/L,微粒(≥0.2mm)为100个/ml。而制作16M位DRAM时,对水质的要求:TOC<5mg/L,金属离子<0.2mg/L,微粒(≥0.1mm)为0.6个/ml。

  二、工艺流程及主要设备:

  1.预处理:

  预处理包括活性炭过滤器、软化器高纯水的检测和阻垢剂投加装置。对RO组件中的聚酰胺复合膜,由于它的耐氯性能差,但适用pH值范围广。活性炭过滤能有效地去除氯。而活性炭过滤后,往往会增加水中细菌和微粒子的含量。软化器可以减少水中粒子含量,由于树脂表面带有少量电荷,会提高软化器的活性,因此软化器预处理可以减少RO组件的粒子污染。为了防止水中硬度的结垢,添加阻垢剂专门设置阻垢剂投加装置。

  2.RO系统:

  RO膜一般能去除原水中95%~99%的TDS,而对二氧化硅(SiO2)的去除效果则不佳,因此RO被认为是预脱矿质过程,为了提高RO的效率,采用了两段RO系统。这种两段脱盐系统采用了低压复合膜,既能保证水通量,又不降低脱盐率,它所需的操作压力为1.38~1.72MPa,所以两段RO能在低于0.27MPa压差下工作,并大幅度提高了离子的分离性能。若单级RO膜的截留率为95%,则盐透过率为5%,两段RO盐的透过率为(0.05)2或0.0025。因此,通过两段RO计算的截留率应为99.75%,复合膜也能提高SiO2的截留率。

  3.后处理:

  反渗透 edi装置产水放入贮槽中,以便进行后续的离子交换(IX)和筒式过滤器处理。往贮槽加入臭氧,使有机物和氧化剂接触转化成羧酸类物质以减少粒子生成。贮水槽出水经254nm紫外线灭菌器,旨在消除臭氧残留物,保护后续的IX装置和筒式过滤器免受臭氧降解。该系统也由两个IX装置组成,主混床和精混床,每个混床后均设亚微米筒式过滤器和紫外线灭菌器。用0.45mm筒式过滤器捕集主混床漏出的树脂颗粒,主混床下游选用18.5nm紫外光,它除杀灭细菌外,还可使有机物少量氧化。

  4.系统布置:

  设备布置是高纯水设计中需要解决的难题之一。

  对于深圳EDI超纯水设备,系统整体布局非常重要,错误的安放会影响系统正常完成出水量与工作产能。很多生产厂家都被系统布局问题困扰,找到正确的安排方式至关重要。