半导体行业超纯水解决方案与工艺适配

　　半导体芯片制造是对水质要求严苛的工业领域之一，晶圆清洗、蚀刻、光刻胶剥离等工序均需大量使用超纯水，水中微量离子、颗粒物或有机物都可能导致电路缺陷、良率下降甚至晶圆报废。

　　半导体超纯水系统的工艺设计需从原水水质与产水标准两端出发。预处理单元通常配置多介质过滤器、超滤与活性炭过滤器，对原水中的悬浮物、胶体、余氯与有机物进行深度去除，将进水污染指数控制在较低水平。双级反渗透采用Ryperm®曲线微导力膜系统，一级反渗透去除大部分溶解盐类与有机物，二级反渗透进一步脱除残留离子与小分子有机物。

　　EDI电去离子单元在半导体系统中承担深度脱盐职责，模块在直流电场作用下连续去除水中残余离子，树脂原位再生无需酸碱投加，产水电阻率稳定达到15兆欧厘米以上。EDI浓水可回收至预处理前端，提升整体水利用率。终端精制单元由Huncotte®多频改性吸附混床、除硼混床、185纳米TOC紫外降解、真空脱气膜与终端超滤组成。除硼混床采用靶向除硼树脂，可将硼离子含量控制在3ppt以下，部分工艺可进一步降至1ppt以下。

　　半导体生产线对供水连续性要求高，断水可能导致整批晶圆报废。莱特莱德在系统设计中采用关键单元冗余配置，如反渗透高压泵一用一备、EDI膜堆分组运行、超纯水箱设置合理缓冲容积，保障用水高峰期的稳定供水。循环回水系统使超纯水在管网中保持流动状态，避免死水段滋生微生物与颗粒物沉积，回流水经过终端精制单元后重新进入供水主管，形成闭环循环。

　　系统自动化控制采用PLC加触摸屏架构，在线监测电阻率、电导率、TOC、颗粒物、压力、流量等关键参数，数据实时显示并可存储追溯。